日立Hitachi高精度实时三维分析FIB-SEM三束系统 NX9000

日立Hitachi高精度实时三维分析FIB-SEM三束系统 NX9000

追求理想的三维结构分析

通过自动重复使用FIB制备截面和进行SEM观察，采集一系列连续截面图像，并重构特定微区的三维结构。

采用理想的镜筒布局，从先进材料、先进设备到生物组织——在宽广的领域范围内实现传统机型难以企及的高精度三维结构分析。

特点

SEM镜筒与FIB镜筒互成直角，形成三维结构分析理想的镜筒布局

融合高亮度冷场发射电子枪与高灵敏度检测系统，从磁性材料到生物组织——支持分析各种样品

通过选配口碑良好的Micro-sampling®系统*和Triple Beam®系统*，可支持制作高品质TEM及原子探针样品

NX9000 是日立高新技术面向高精度实时三维结构分析开发的正交型 FIB‑SEM 三束系统。SEM 与 FIB 镜筒呈 90° 直角布局，实现对 FIB 加工截面电子束垂直入射观察，消除传统斜角 FIB‑SEM 图像畸变、透视缩短、视野漂移问题，获得无失真的截面图像，适合连续切片三维层析重构。

搭载高亮度冷场发射电子枪，兼顾高分辨成像与高精度离子束刻蚀；可自动完成 FIB 逐层切片‑SEM 成像循环。选配 Ar/Xe 离子源构成三束系统，降低镓离子损伤，制备高质量 TEM、原子探针 APT 样品。支持半导体微区缺陷解析、电池、复合材料、磁性材料、生物组织等微区三维表征。

实际案例与用途

案例 1：先进半导体 EUV 光刻缺陷三维解析（标杆应用）

样品：EUV 光刻胶、高 k 介质、先进逻辑器件微小随机缺陷

工作：Cut & See 模式，1 nm 极小步进逐层切片，每切一层立即垂直入射 SEM 成像，三维重构纳米级缺陷真实三维形貌；定位微桥、断线、孔洞等良率缺陷，解析缺陷形成机理。

优势：直角布局无图像畸变，还原光刻胶脆弱结构真实形态。

案例 2：电池电极、复合材料三维层析重构

样品：锂电池正负极、燃料电池电极、多孔复合材料、陶瓷

工作：FIB 连续切片，SEM 逐层采集，软件三维重构；获得孔隙、颗粒、界面的三维空间分布；选配 3D‑EDS 同步采集元素三维分布。

案例 3：金属材料 3D‑EBSD 晶体取向三维分析

样品：合金、高温合金、多晶材料

工作：样品台保持不动，FIB 刻蚀一层，直接做 EBSD 采集；得到晶粒、晶界、析出相的三维晶体取向信息，研究裂纹、腐蚀起源。

案例 4：高质量 TEM、原子探针 APT 样品制备（三束选配）

工作：Ga‑FIB 粗加工，Ar 冷离子源做最终低损伤抛光，去除 Ga 离子注入损伤层；制备 APT 针尖样品、超薄 TEM 薄片；适合磁性材料、对离子损伤敏感的样品。

案例 5：生物软材料、神经组织三维电镜表征

样品：冷冻固定生物组织、神经细胞

优势：垂直入射成像，图像无畸变，连续切片获取细胞内部三维超微结构。