堀场 HORIBA 真空紫外椭偏仪 UVISEL 2 VUV
UVISEL 2 VUV 是堀场 HORIBA 专为真空紫外（VUV）波段测量设计的宽光谱椭偏仪。该系统采用全真空光路设计，有效消除氧气对 VUV 波段的吸收干扰，光谱覆盖范围达 147-2100 nm。仪器具备高准确性与超快测量速度，支持氮气吹扫或高真空两种操作模式，样品室抽真空速度快，便于快速更换样品，适用于半导体、光学镀膜及新材料研发等领域的薄膜厚度、折射率及消光系数表征。
该系列在机械设计上进行了优化，氮气消耗量低至 6 L/min，载样时间缩短至 2 分钟以内。真空样品仓门朝向操作人员，进一步优化了实验操作流程。
在硬件配置上，UVISEL 2 VUV 集成了大功率双光源、高通量光学系统、CaF2 光弹调制晶体以及双单色仪系统。在 147-850 nm 波段范围内，样品测量时间少于 8 分钟，具有优异的信噪比和高灵敏度。
通过显著降低氮气消耗量、缩短吹扫及测试时间，该仪器提升了 VUV 椭偏测量的效率与便捷性。
配套 DeltaPsi2 软件提供从数据采集、建模分析、报告生成到自动化操作的全流程控制。软件界面直观友好，广泛适用于科研实验室及工业生产线的检测需求。
主要特点
快速载样：优化的样品室设计，实现快速样品更换。
高效吹扫：快速达到工作真空度或氮气保护状态。
低气体消耗：氮气消耗量低至 6 L/min，运行成本更低。
高速测试：短波长区域测量时间短，提升通量。
双模式可选：支持氮气保护模式或高真空模式，适应不同样品需求。
产品详细介绍
工作原理
基于椭圆偏振光谱法，通过测量偏振光经样品反射后偏振态的变化，利用数学模型拟合，精确获取薄膜厚度、折射率 (n)、消光系数 (k) 及多层膜结构信息。
核心优势
具备 VUV 波段光学常数测量能力，特别适合极薄介电膜及半导体薄膜的分析。采用非接触、无损检测方式，无需制样。支持单点测试及 Mapping 面扫描，全面评估薄膜均匀性。
解析能力
可解析纳米级薄膜厚度、多层膜堆叠结构、界面层特性以及光学常数色散曲线。
适用样品
晶圆、半导体基片、光学镀膜、二维材料、各类硬质薄膜等。
典型应用案例
半导体制造：用于晶圆上超薄栅介质层、钝化层的几纳米级别薄膜厚度与光学常数表征，辅助工艺监控与研发验证。
真空紫外光学镀膜：针对深紫外光学元件涂层，测定 VUV 波段的折射率与消光系数，助力高透/高反光学膜的开发。
二维新材料：解析二维薄膜材料的层数与光学常数，深入研究材料的光电特性。
光伏与光电器件：评估电池器件中多层功能薄膜的厚度均匀性，优化器件制备工艺。
