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品牌:日本大塚电子/Otsuka
产地:日本
型号:FE‑5000 系列
400-616-7676转3323
核心参数
仪器介绍
OTSUKA 大塚电子 光谱椭偏仪 FE‑5000 系列
除了能够高精度薄膜分析的光谱镜片偏度外,我们还实现了自动调节角度测量机制,能够处理各种类型的薄膜。 除了传统的旋转光度计方法外,通过引入相位差板的自动安装和拆卸机构,提高了测量精度。
特色
能够测量紫外可见光(300~800nm)波长范围内的椭圆参数。
支持对纳米级多层薄膜的薄膜厚度分析
通过多通道光谱法对400多个通道的埃利普索光谱进行快速测量
支持通过可变反射角测量对薄膜进行详细分析。
通过添加光学常数数据库和配方注册功能提升操作性
测量项目
椭圆参数(tanψ, cosΔ)测量
光学常数分析(n:折射率,K:衰减系数)
薄膜厚度分析
测量目标
半导体晶圆:
栅氧化层薄膜、氮化物薄膜SiO
2,SixO y,SiN,SiON,SiNx,Al2O3,SiNxOy聚硅、ZnSe、BPSG、TiN
电阻的光学常数(波长色散)
化合物半导体
x加(1-x)作为多层薄膜,非晶硅
FPD
对准膜
各种新材料:
DLC(类碳金刚石)、超导薄膜、磁头薄膜
光学薄膜
TiO2,SiO2,防反射膜
光刻场:每个波长如
g线(436nm)、h线(405nm)、i线(365nm)等各波长的n、k值
核心参数:
| 项目 | FE‑5000 参数 |
|---|---|
| 测量原理 | 旋转检偏器法,相位差板自动装卸机构 |
| 波长范围 | 250‑800 nm(紫外‑可见光) |
| 可测膜厚 | 0.1 nm~1 μm,超薄膜解析 |
| 入射角度 | 45°‑90° 全自动可变角度(正弦杆驱动) |
| 测量光斑 | φ1.2 mm;可选微小光斑组件 |
| 可解析层数 | 多层膜拟合,输出膜厚、折射率 n、消光系数 k、椭偏参数 tanψ/cosΔOtsuka Ele... |
| 重复性 | 100 nm SiO₂标准样,再现性 0.01% |
| 检测速度 | 多通道 400 通道以上,单次测量 1 分钟以内完成 |
| 样品兼容 | 硅晶圆、玻璃、光学镜片、金属基底、硬质涂层、ITO 导电膜 |
产品详细介绍
FE‑5000 是大塚高端科研 / 量产级光谱椭偏仪,区别普通分光膜厚仪,椭偏仪擅长解析0.1nm 级别超薄膜、多层堆叠薄膜、光学常数 n/k 色散曲线。
自动相位差板装卸:改善弱吸收薄膜、极薄氧化层的解析精度,是本机型核心优势;全自动可变入射角,不用手动拆装光路配件。
多通道高速光谱采集,可做多层膜拟合、EMA 有效介质模型分析,评估界面层、混合组分占比。
FE‑5000 支持自动载台 + 晶圆 Loader,适配半导体 8 英寸晶圆批量检测;FE‑5000S 是紧凑型桌面版本,适合研发小样品。
软件自带材料光学常数库,支持测试配方 Recipe 保存,数据自动导出。
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