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TSUBOSAKA 壶坂电机平行光曝光装置LUV-1000 UV

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TSUBOSAKA 壶坂电机平行光曝光装置LUV-1000 UV

品牌:壶坂/ TSUBOSAKA

产地:日本

型号:LUV-1000 UV

400-616-7676转3323

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仪器介绍

TSUBOSAKA 壶坂电机平行光曝光装置LUV-1000 UV
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曝光烘焙设备保证并行性

配备2千瓦超高压汞灯

通过专用电脑软件和快门控制器进行控制

面罩玻璃平面展示,玻璃间隙可调

高精度图案曝光是可能的。

暴露方法:接触距离

我们接受自定义,比如更改口罩尺寸

核心参数:

项目规格
品牌TSUBOSAKA 壺坂電機(壶坂电机)
型号LUV-1000
产品名称UV 平行光曝光装置(紫外露光装置)
光源2kW 超高压汞灯
中心波长365nm(i 线),光谱范围 300~500nm
总光通量90000 lm
灯泡平均寿命500 小时(消耗件)
有效照射面积150 × 150 mm
辐照度30~40 mW/cm²
照射均匀度有效面内 ±5% 以内
准直半角2.0°,平行紫外光束
控制系统专用 PC 软件 + 快门控制器,控制曝光时间
工件功能自动将掩膜玻璃与基板调平、间隙调整,可安装掩膜版做图形曝光
供电AC100~240V 50/60Hz

产品详细介绍

LUV-1000 是壶坂电机平行光紫外曝光机,输出高平行度 365nm 紫外光,用于光刻图形曝光。

平行紫外光束,准直性好,曝光图形边缘锐利,减少衍射造成的线宽偏差;掩膜与基板可自动调平,保证整片曝光均匀。

搭载 2kW 超高压汞灯,大功率紫外输出,辐照度稳定;快门精准控制曝光时间,满足光刻胶感光工艺。

支持掩膜版(mask)图形转移曝光,可根据客户需求定制掩膜尺寸。

PC 上位机软件设定曝光参数,可保存多组曝光配方,适合研发小批量样品制作。

实际落地用途案例

MEMS、微流控芯片实验室

光刻胶图形曝光,微结构、微通道光刻制备,样品研发打样。

光学薄膜、光掩膜相关研发

薄膜光刻工艺验证,微小光学图案成型。

半导体、PCB、FPC 小样工艺开发

小基板光刻曝光,工艺条件摸索、来料工艺试验。

高校、研究院光学实验室

微纳加工、光刻教学实验。

可选配件

专用掩膜夹具、掩膜玻璃

替换超高压汞灯灯泡(耗材)

紫外照度监测探头

原厂辐照度校准证书


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