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MIKASA 米卡萨掩膜对准曝光机 MA-20
品牌：米卡萨/MIKASA
产地：日本
型号：MA-20
400-616-7676转3323
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仪器介绍
MIKASA 米卡萨掩膜对准曝光机 MA-20
日本 MIKASA 米卡萨 MA-20 接触式掩膜对准曝光机（Mask Aligner），科研级 4 英寸晶圆光刻设备，搭载 500W g/h/i-line 宽谱紫外光源，曝光分辨率可达 1μm，20 倍物镜下对准精度＜1.2μm，支持软接触、硬接触两种曝光模式。标配双视野对准显微镜、UV 累积光量计与防震台，可实现 SU-8 厚胶、常规光刻胶图形制备。常与 MS-B150 旋涂机、ULVAC DA-60S 真空泵配套组成光刻工艺平台，广泛用于高校微纳实验室、MEMS 器件、微流控芯片、光学元件研发试样制备。
一、核心参数表
| 项目 | 规格 |
|---|---|
| 最大基板尺寸 | φ4 英寸晶圆，基板最大厚度 2mm |
| 最大掩膜版（Mask） | 5×5 英寸 |
| 曝光光源 | 500W 高压汞灯，g/h/i 宽谱紫外光 |
| 照度 | 14mW/cm² @405nm，照度均匀性＜±4.0% |
| 分辨率 | 1μm（L&S 线宽） |
| 对准精度 | 搭配 20× 物镜，＜1.2μm |
| 曝光模式 | 软接触 / 硬接触两种模式切换 |
| 对准系统 | 双视野对准显微镜，标配 4×/10×/20× 物镜可选；X/Y/θ/Z 四维微调 |
| 曝光控制 | 定时模式 0~999.9s；累积光量计模式 1~9999 计数，UV 累计光量计为标准配置 |
| 标配附件 | 防震台、掩膜 / 基板真空吸附机构、对准点间距测量功能 |
| 公用配套 | 压缩空气 0.5MPa；氮气 0.5MPa；真空 - 0.08MPa（基板吸附，可搭配 ULVAC DA-60S 真空泵） |
| 电源 | AC100~110V，20A |
| 外形尺寸 | 1000(W) ×1300(H) ×800(D) mm |
| 整机重量 | 290 kg |
二、产品特点
科研级 4 寸接触式光刻机，专为高校、研究所 MEMS、微纳加工研发设计，是日系经典桌面式掩膜对准机。
双模式曝光：硬接触适合薄胶高精度图形；软接触保护掩膜，减少掩膜磨损，适合厚胶 SU-8 光刻。
内置累积光量监测，可按曝光能量控制曝光，不受光源衰减影响，保证光刻工艺重复性。
四维精密微调载台，双视野显微镜，方便掩膜与晶圆高精度对位，自带间隙测量功能。
整机标配防震台，隔绝外界振动，保障微纳图形曝光精度。
三、实际应用案例
高校微纳实验室：MEMS 微器件、微流控芯片、传感器结构光刻制备；
厚胶工艺：SU-8 厚胶（最高 30μm 胶厚）高深宽比结构曝光；
光学器件：光栅、光学掩膜、柔性薄膜器件试样加工；
半导体研发：4 英寸硅片光刻胶图形制备，搭配 MS-B150 旋涂机组成完整光刻工艺链路：
MS-B150 旋涂（涂光刻胶）→ MA-20 曝光 → 显影
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