MIKASA 米卡萨掩膜对准曝光机（接触式光刻机）MA-60F

MIKASA 米卡萨掩膜对准曝光机（接触式光刻机）MA-60F

品牌：MIKASA（ミカサ株式会社，日本米卡萨）品名：MA-60F 接触式掩膜对准曝光机（Mask Aligner，6 英寸晶圆科研光刻设备）
日本 MIKASA 米卡萨 MA-60F 接触式有掩膜对准曝光机（Mask Aligner），科研级 6 英寸晶圆光刻设备，搭载 500W g/h/i-line 宽谱紫外光源，最小加工线宽 1μm，20 倍物镜下对准精度＜1.5μm，支持软接触、硬接触两种曝光模式。标配双视野对准显微镜、UV 累积光量计与防震台，支持 SU-8 厚胶与常规光刻胶图形制备。常搭配 MS-B200 匀胶机、ULVAC DA-60S 真空泵搭建光刻工艺平台，适用于高校微纳实验室、MEMS 器件、大面积微流控芯片、光学元件研发试样制备。

核心参数表

产品特点

1. 6 英寸大基板科研级接触式光刻机，MA 系列里适配 6 寸晶圆型号，和 MA-20 为同系列，基板尺寸升级。

2. 软 / 硬接触双曝光模式，硬接触适合高精度薄层光刻；软接触保护掩膜，适配 SU-8 厚胶高深宽比工艺。

3. 内置 UV 累积光量监测，可按曝光能量控制，抵消汞灯光源衰减，保证光刻工艺重复性。

4. 四维精密载台 + 双视野对准显微镜，掩膜与晶圆对位精度高，自带掩膜 - 晶圆间隙测量。

5. 标配防震台，降低外界振动干扰，保障微纳图形加工精度。

实际应用案例

1. 高校微纳实验室、科研院所 MEMS 器件、6 英寸硅片光刻制备；

2. 大面积微流控芯片、柔性薄膜器件、光学光栅、传感器芯片研发；

3. 厚胶 SU-8 光刻工艺，制备高深宽比微结构；

4. 搭配MS-B200（8 寸匀胶机，也可选用 MS-B150），组成完整 6 英寸光刻工艺链路：

匀胶涂胶 → MA-60F 曝光 → 显影