MIKASA 米卡萨双摆动喷嘴湿法蚀刻专用装置 ED-3000

MIKASA 米卡萨双摆动喷嘴湿法蚀刻专用装置 ED-3000 

核心参数表

产品特点

1. 双独立摆动喷嘴，两根摆臂摆动角度、摆动速度可单独编程，12 英寸大基板药液覆盖均匀，改善边缘蚀刻一致性问题。支持正面蚀刻喷淋、正面冲洗、背面冲洗全自动流程。

2. PVC 耐强腐蚀腔体，可适配各类强酸蚀刻液、光刻胶剥离液，不会像不锈钢腔体一样被强酸腐蚀、析出杂质污染基板。

3. 压力罐加压给药，蚀刻速率重复性高；真空吸盘兼容硅片、玻璃、化合物半导体、陶瓷、方形基板，吸盘可快速更换。

4. 可编程多段工艺，转速、喷淋时长、药液供给时序自由设定，多配方一键切换，适配科研多种薄膜刻蚀工艺。

5. 安全联锁结构，开盖自动停止喷淋，防止强腐蚀性药液喷溅，适配高校洁净实验室。

实际应用案例

1. 完整光刻工艺链路：MS-B 系列匀胶机 → MA 系列掩膜对准曝光机 → M 系列显影机 → ED-3000 强酸湿法蚀刻

2. MEMS 器件、微流控芯片、光学光栅、传感器芯片金属 / 介质薄膜强酸湿法刻蚀、光刻胶剥离

3. 1~12 英寸科研试样、方形玻璃、陶瓷基板微纳加工

核心硬件参数

• ‌基板适配‌：最大支持12英寸晶圆/220×220mm方形基板，兼容1~12英寸硅片、玻璃、化合物半导体、陶瓷基板，可选配件可拓展至300mm方形基板；专用真空吸盘支持快速更换，多规格基板切换灵活。

• ‌喷淋系统‌：搭载‌双独立摆动喷淋喷嘴‌，两根摆臂的摆动角度、摆动速度可分别独立编程，彻底解决大尺寸基板表面药液分布不均的痛点，整片蚀刻边缘一致性大幅提升。

• ‌液路系统‌：采用压力罐加压输送药液，输出压力稳定无脉冲，喷淋流量波动极小，蚀刻速率重复性误差控制在3%以内；液路可扩展至最多3路蚀刻药液+1路冲洗液，可实现多步不同蚀刻药液连续自动处理；药液阀全部采用特氟龙气动阀，耐化学腐蚀，不易结晶卡阀。

• ‌旋转系统‌：AC伺服电机驱动，转速范围0~3000rpm，加减速斜率可自定义编辑，薄晶圆、薄玻璃启停冲击极小，大幅降低工艺过程中基板碎裂风险。

• ‌程序控制‌：支持48步工艺编辑，可存储10组完整工艺配方，自带步骤跳过、程序复制功能，LCD触控屏操作直观，转速、摆臂角度、摆速、喷淋时间全部可编程，蚀刻-冲洗-甩干整套流程一键自动完成，彻底消除人为操作带来的批次间工艺偏差。

• ‌腔体材质‌：接液主体采用‌PVC耐强腐蚀材质‌，适配各类酸系蚀刻液、PR剥离液，完全避免不锈钢腔体被强酸腐蚀溶出污染基板；可选PTFE特氟龙内衬升级，适配腐蚀性更强的特殊药液。

• ‌整机规格‌：AC200V三相15A供电，适配常规洁净台台面摆放，接液腔体光滑无死角，废液导流设计避免反流二次污染基板，完全满足Class100级洁净室使用要求。

核心技术优势

1. ‌双摆动喷嘴专属设计‌：区别于单喷嘴机型，两根独立控制的喷淋摆臂可实现大尺寸基板全域药液无死角覆盖，12英寸晶圆整片蚀刻均匀性偏差控制在±2%以内，远优于单喷嘴机型常规±5%的水平。

2. ‌全耐蚀液路腔体设计‌：从腔体、喷嘴到药液阀全链路针对强酸蚀刻场景优化，完全规避普通显影机不锈钢腔体被强酸腐蚀的问题，设备使用寿命比混用普通显影机做蚀刻的场景延长2倍以上。

3. ‌大基板工艺适配性强‌：专门针对12英寸大尺寸晶圆、大规格方形基板优化，解决大基板湿法蚀刻边缘蚀刻速率过快、中心区域蚀刻不足的行业痛点，保障整片微纳图形线宽一致性。

4. ‌工艺拓展能力丰富‌：可额外选配蚀刻液恒温控制系统，将药液温度波动控制在±0.5℃以内，完全规避湿法蚀刻速率对温度敏感的痛点，进一步提升批次间蚀刻速率重复性。

典型应用场景

1. ‌高校微纳加工公共平台‌：搭配同品牌12英寸匀胶机、光刻机、显影机构成完整的大尺寸黄光工艺链路，用于本科生微纳湿法蚀刻教学实验，设备操作门槛低、故障率远低于同级别国产机型，高频次教学使用场景下仍能长期稳定运行。

2. ‌第三代半导体功率器件研发实验室‌：用于12英寸碳化硅、氮化镓晶圆的金属薄膜湿法蚀刻工序，利用其低抖动伺服旋台特性，避免薄脆化合物半导体晶圆在工艺过程中碎裂，保障2μm以下栅极图形的蚀刻良率。

3. ‌MEMS传感器创业公司研发线‌：适配多规格大尺寸传感器芯片的快速研发试样，可快速切换不同尺寸基板载台，1分钟内完成不同工艺配方调用，大幅缩短微纳结构湿法蚀刻工序的试样周期。

4. ‌大尺寸光学微纳器件制备实验室‌：利用双喷嘴全域均匀喷淋特性，在12英寸玻璃基板上实现微纳光栅、微透镜阵列图形的均匀湿法蚀刻，图形边缘粗糙度控制在50nm以内，满足高精度大尺寸光学器件研发的工艺要求。