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MIKASA 米卡萨掩膜对准曝光机 MA-10B

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MIKASA 米卡萨掩膜对准曝光机 MA-10B

品牌:米卡萨/MIKASA

产地:日本

型号:MA-10B

400-616-7676转3323

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仪器介绍

MIKASA 米卡萨掩膜对准曝光机 MA-10B 
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核心参数表:

项目规格
最大基板尺寸φ4 英寸晶圆,支持异形 / 方形基板,基板最大厚度 2mm
最大掩模版尺寸5×5 英寸掩膜板
曝光光源250W UV 汞灯,宽带 g・h・i 线紫外光源
曝光波长g/h/i 复合紫外波段
曝光分辨率2μm(线宽 / 线距 L&S)
照度>8mW/cm²(405nm 条件下)
照度均匀性<±8.5%
对准系统双视野对准显微镜,物镜间距 18~60mm;20 倍物镜下显微镜分辨率 1.2μm
载物台移动范围XY 平台 ±50mm 大范围移动,X/Y/θ/Z 四维微调;步距 0.025μm
接触模式软接触 / 硬接触两种模式可选
曝光计时0~999.9s 可调定时曝光
真空系统真空吸附基板与掩模版,真空压力 - 0.08MPa
安全机制平台移动传感器防误操作、掩模版防掉落抽板、限位保护
供电AC100~110V,50/60Hz
整机重量约 90kg(对比老款 MA-10 大幅轻量化)
外形尺寸750(W) ×600(H) ×650(D) mm
选配防震台、真空泵、三目镜筒、监视器、500W 高功率光源

产品特点

  1. 轻量化改良机型:在 MA-10 基础上减重,体积紧凑,适合实验室台面放置。

  2. 支持异形基板:不局限标准圆形晶圆,玻璃、石英、小片试样均可真空吸附加工。

  3. 双视野显微镜目视对准,操作直观;XY 大行程平台,方便样品预对位。

  4. 软 / 硬接触两种曝光模式,可根据光刻胶工艺切换,兼顾图形精度与掩膜保护。

  5. 完整配套米卡萨匀胶机(DA-60S/MS-B 系列)、M 系列显影机、ED 蚀刻机,组成完整光刻工艺线。

实际应用案例

  1. 高校微纳光刻全套工艺:匀胶(DA-60S)→ MA-10B 掩膜对准曝光 → M 系列显影 → ED 系列湿法蚀刻

  2. MEMS 器件、微流控芯片、光学光栅、传感器、柔性薄膜光刻图形制备

  3. 化合物半导体、LED、PCB、微结构薄膜的科研工艺开发


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