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品牌:米卡萨/MIKASA
产地:日本
型号:MA-10B
400-616-7676转3323
仪器介绍
MIKASA 米卡萨掩膜对准曝光机 MA-10B 
核心参数表:
| 项目 | 规格 |
|---|---|
| 最大基板尺寸 | φ4 英寸晶圆,支持异形 / 方形基板,基板最大厚度 2mm |
| 最大掩模版尺寸 | 5×5 英寸掩膜板 |
| 曝光光源 | 250W UV 汞灯,宽带 g・h・i 线紫外光源 |
| 曝光波长 | g/h/i 复合紫外波段 |
| 曝光分辨率 | 2μm(线宽 / 线距 L&S) |
| 照度 | >8mW/cm²(405nm 条件下) |
| 照度均匀性 | <±8.5% |
| 对准系统 | 双视野对准显微镜,物镜间距 18~60mm;20 倍物镜下显微镜分辨率 1.2μm |
| 载物台移动范围 | XY 平台 ±50mm 大范围移动,X/Y/θ/Z 四维微调;步距 0.025μm |
| 接触模式 | 软接触 / 硬接触两种模式可选 |
| 曝光计时 | 0~999.9s 可调定时曝光 |
| 真空系统 | 真空吸附基板与掩模版,真空压力 - 0.08MPa |
| 安全机制 | 平台移动传感器防误操作、掩模版防掉落抽板、限位保护 |
| 供电 | AC100~110V,50/60Hz |
| 整机重量 | 约 90kg(对比老款 MA-10 大幅轻量化) |
| 外形尺寸 | 750(W) ×600(H) ×650(D) mm |
| 选配 | 防震台、真空泵、三目镜筒、监视器、500W 高功率光源 |
轻量化改良机型:在 MA-10 基础上减重,体积紧凑,适合实验室台面放置。
支持异形基板:不局限标准圆形晶圆,玻璃、石英、小片试样均可真空吸附加工。
双视野显微镜目视对准,操作直观;XY 大行程平台,方便样品预对位。
软 / 硬接触两种曝光模式,可根据光刻胶工艺切换,兼顾图形精度与掩膜保护。
完整配套米卡萨匀胶机(DA-60S/MS-B 系列)、M 系列显影机、ED 蚀刻机,组成完整光刻工艺线。
高校微纳光刻全套工艺:匀胶(DA-60S)→ MA-10B 掩膜对准曝光 → M 系列显影 → ED 系列湿法蚀刻
MEMS 器件、微流控芯片、光学光栅、传感器、柔性薄膜光刻图形制备
化合物半导体、LED、PCB、微结构薄膜的科研工艺开发
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