大日本科研 DNK接触式光刻曝光装置MA-1200

大日本科研 DNK接触式光刻曝光装置MA-1200

主要特长

对应玻璃、Wafer、胶片等基材的实验研究用手动整面单次曝光机。也适合小批量生产。

可选择接触曝光(软接触、硬接触)和近接曝光。

对应最大尺寸为500mm×500mm的基板。根据用途和基板尺寸,配置有最佳组合的光学系统。其中包括:超高压水银灯(500W､1kW､2kW､3.5kW)、各种光学镜、特殊镜头、聚光镜等。

一、产品概述

MA-1200 是大日本科研 DNK推出的研究 / 小批量生产型手动一括有掩模接触式曝光机，定位高校实验室、研发中心、中小试产线，主打 6 英寸及以内晶圆、玻璃基板、柔性薄膜的光刻图形转移，支持接触 / 近接两种曝光模式，是 MEMS、微流控、FPC、化合物半导体研发领域的经典机型。

产品全称：MA-1200 手动整面接触式光刻曝光装置（常称 MA-1200A 升级版本）

二、核心技术规格

三、产品核心特点

1. 多模式曝光，兼顾精度与良率硬接触：掩膜紧贴光刻胶，图形分辨率最高，适合高精度微结构；软接触：适度缓冲，减少基板颗粒划伤；近接曝光：掩膜和基板保留微小间隙，保护超薄 / 易碎基板，适合薄膜类试样。

2. 兼容碎片、异形基板普通曝光机只能整片晶圆，MA-1200 可对切割后的碎片、小片样品对位曝光，非常适合实验室研发打样，大幅节省样品成本，高校、研究院使用频率很高

3. 紧凑型手动机型，投入门槛低对比全自动量产曝光设备，MA-1200 占地小、配套环境要求宽松，不需要超大面积黄光洁净车间；兼顾研发打样 + 小批量试产，一机两用，是多品种小批量工艺的优选。

4. 光学均匀性稳定DNK 自研聚光与反射光学系统，曝光面照度均匀性好，整片基板光刻胶图形一致性高，减少批次之间差异。

5. 可升级双面曝光配置支持选配双面曝光模块，满足需要正反面套刻的器件（MEMS、微流控芯片）。

四、行业应用领域

1. MEMS 微机电系统：压力传感器、加速度传感器、微流控芯片、微喷嘴、微通道结构光刻成型；

2. 化合物半导体：氮化镓、碳化硅样品、光芯片试样、微型光电器件研发；

3. FPC 柔性线路板：超薄柔性基材、小批量柔性线路图形试制；

4. 光学薄膜与显示：微结构光学膜、光栅、微透镜阵列研发；

5. 高校 / 科研院所：微电子、微纳加工实验室教学、课题试样制备。

五、行业案例分析

案例 1：临港化合物半导体企业（工业研发，双面曝光应用）

• 背景：第三代半导体光芯片研发企业，需要 6 英寸碳化硅 / 氮化镓试样，需要双面光刻套刻，多品种、每次小批量几片样品，不适合采购昂贵全自动量产光刻机。

• 选型：DNK MA-1200（选配双面曝光模块）

• 使用价值： ① 支持小片试样，研发阶段不用整片晶圆，降低材料成本； ② 软接触模式保护脆性碳化硅基板，减少碎片报废； ③ 双面对位套刻精度满足器件结构要求；

后续客户复购，新增第 3 台 MA-1200 用于不同工艺线，用于新工艺预研。

案例 2：国内高校微电子实验室（科研教学、微流控芯片）

• 背景：高校微纳加工平台，面向研究生课题，样品种类繁杂，硅片、玻璃、PDMS 微流控芯片都需要光刻，样品经常是切割后的小块基板。

• 选型：DNK MA-1200 基础版

• 使用价值： ① 支持碎基板对位，学生课题小块样品可直接曝光，样品利用率高； ② 三种曝光模式，方便对比硬接触 / 近接曝光的工艺差异，用于课题实验； ③ 操作上手门槛适中，满足教学与课题打样；

同平台搭配涂胶、显影设备，搭建完整小型光刻工艺链路。

案例 3：FPC 柔性电子企业小批量试制线

• 背景：柔性线路板研发企业，新品打样，基材超薄 PET 柔性膜，掩膜直接接触容易拉伸薄膜产生形变。

• 选型：DNK MA-1200，优先使用近接曝光模式

• 使用价值： 近接曝光模式避免掩膜压伤、拉伸柔性薄膜；快速完成多款新品 FPC 图形验证，缩短新品开发周期；样品批次少、型号迭代快，设备适配柔性研发节奏。