大日本科研DNK全自动掩膜对准曝光机MA-4301M

大日本科研DNK全自动掩膜对准曝光机MA-4301M

主要特长

利用本公司独创的高速图像处理技术, 实现了Wafer与掩膜的高精度对位。

装载机侧和卸载机侧最多可设置两个篮具（选购项）。

备有冷却机构，可进行基板台与掩膜的温度管理（选购项）。

搭载本公司独创的镜面光学系统爆光灯房（LAMP HOUSE）。从而实现了照射面内的均匀性以及高照度。

搭载非接触预对位系统（PREALIGNER）。从而实现了高精度进给且保证基板不受任何损伤。

搭载有自动掩膜更换机。并可支持掩膜存放库。

主要规格

一、产品概述

MA‑4301M 是 DNK 大日本科研量产级全自动有掩模接触 / 近接曝光设备，主打最大8 英寸（200mm）晶圆，面向中试、稳定量产产线，属于 MA4300 系列主力机型，定位高于 MA‑4000，支持更大基板、更高自动化程度、更强工艺扩展性，是第三代半导体、MEMS、先进封装的主力掩膜对准光刻设备。

全称：MA‑4301M 全自动掩膜对准紫外曝光装置（Mask Aligner）

二、核心技术规格表

三、产品核心特点

1. 高速图像算法，±1μm 高精度全自动对位DNK 自研高速图像处理对位算法，峰值搜索模式，自动识别对准标记，相比 MA‑4000 提升平行度补偿能力，整片基板图形套刻一致性优秀，满足传感器、光芯片的双面套刻工艺。

2. 四模式曝光工艺兼容，保护脆性晶圆支持硬接触（高分辨率）、软接触、近接曝光，可根据工艺自由切换；近接模式掩膜与晶圆保持间隙，防止 SiC/GaN 脆性外延片压碎、划伤，提升良率。间隙 1~200μm 伺服精准可调，工艺窗口宽。

3. 非接触预对位，自动上下片，减少人工干预自动装载机 + 非接触预对准机构，上片过程不触碰晶圆有效区域，杜绝颗粒、边缘崩边风险；选配晶圆盒，可连续多盒晶圆自动生产，满足工厂自动化黄光产线。

4. 可选自动掩膜库，多品种快速换型选配自动掩膜更换单元，掩膜库可存放 10 片掩膜，不同产品型号之间自动切换掩膜，适合多品种、中小批量混线生产，大幅减少人工更换掩膜停机时间。

5. 光学均匀性优异DNK 镜面反射式灯房光学系统，曝光面照度均匀性好，整片晶圆光刻胶图形线宽稳定，批次波动小，满足量产品质追溯管控要求。

四、行业应用领域

1. 第三代半导体（核心场景）：SiC、GaN 功率器件、光芯片、射频器件 8 英寸晶圆光刻工艺；

2. MEMS 微机电系统：8 寸压力传感器、加速度传感器、微流控器件量产双面套刻；

3. 先进封装：微结构、TSV、光学封装基板图形转移；

4. 光学器件与显示：光学玻璃基板、微透镜阵列、小型显示器件批量制造；

5. 精密电子元器件：薄膜器件、热敏元件、陶瓷基板中试量产。

五、行业案例分析

案例 1：第三代半导体 SiC 功率器件企业（8 寸中试量产）

• 背景：8 英寸碳化硅晶圆中试产线，晶圆薄、脆性极高，不能硬接触；多套掩膜，多道光刻套刻，要求自动化连续生产，减少人工接触带来的颗粒污染。

• 选型：DNK MA‑4301M，选配自动掩膜库 + 背面对位模块

• 使用价值： ① 优先软接触 / 近接曝光，降低 SiC 碎片报废率； ② 自动掩膜库，多道工序掩膜自动切换，混线生产； ③ 背面对位实现多层结构高精度套刻，满足功率器件工艺；

设备接入工厂 MES 系统，曝光参数全追溯，满足半导体客户审核。

案例 2：MEMS 传感器制造工厂（双面光刻）

• 背景：8 英寸晶圆压力传感器，需要正反面两次光刻套刻，套刻精度要求 ±1μm，每月数万片产能。

• 选型：MA‑4301M，背面对位 + 温度冷却模块

• 使用价值：基板台温度管控，减少热胀冷缩带来的套刻偏差；全自动上下片，稳定持续量产，双面套刻良率稳定。

案例 3：光学元件厂商（玻璃基板批量微结构）

• 背景：8 英寸超薄玻璃基板，制作微光学光栅结构，基板易变形，要求整片曝光均匀。

• 选型：MA‑4301M 基础版（近接曝光）

• 使用价值：近接曝光避免掩膜直接接触拉扯玻璃基板；曝光均匀性保障整片微结构一致性。