国内代理大日本科研 DNK近接式掩膜曝光装置MA-5111ML

国内代理大日本科研 DNK近接式掩膜曝光装置MA-5111ML

类目：半导体行业专用仪器设备 > 光刻及涂胶显影设备 > 有掩模光刻机 / 掩膜对准曝光机曝光模式下拉选项直接选择：接近式定位：G2.5 代超大基板近接式光刻主机，MA5xxx 系列最大幅面机型，面向中大尺寸 FPD、大面积柔性基板量产，一次性整面曝光无需拼接。

一、核心参数

二、产品详细介绍

MA-5111ML 是 DNK 面向G2.5 大尺寸玻璃基板开发的近接掩膜对准曝光机，为 MA5501ML / MA5701ML 同系列顶配机型，主打大面积基板一次性全域紫外曝光，无步进拼接接缝缺陷，用于平板显示、大面积 FPC、光学薄膜的量产光刻制程cn.kakenjs...。

核心技术亮点

1. 大基板间隙闭环传感系统搭载 DNK 自研光学间隙传感器，可高速、高精度设定掩膜与基板之间非接触间隙，避免掩膜直接接触玻璃基板，保护薄型、大面积脆玻璃，减少掩膜磨损、划伤基板风险；间隙全程闭环控制，整片 730×920mm 基板曝光能量均匀稳定。

2. 18kW 超大功率 i-line 汞灯光源同系列最高功率光源，高照度输出，适合厚感光胶、彩色滤光片、大尺寸干膜、厚膜浆料曝光；选配掩膜冷却单元，抑制长时间曝光掩膜受热形变，保障大批量连续生产的图形尺寸稳定性。

3. 高精度多层套刻对位同轴视觉自动对位，支持透明玻璃正面标记对位以及红外 IR 背面对位；适配多层叠加光刻工艺，满足彩膜、TFT、触控多层图形套刻需求。

4. 可扩展自动化量产架构支持选配掩膜库，最多存放 5 张掩膜，快速切换多品种产品；可扩展 Load port 基板自动上下料，可接入产线自动化，适合连续量产；选配基板载台温控，消除大面积玻璃基板热胀冷缩带来的套刻偏差。

工艺定位：近接非接触曝光为主，不推荐硬接触模式，优势在于保护大面积薄基板。 局限：近接曝光原理，分辨率上限 15μm，不适合微米以下超高精细线路。

三、行业案例分析

案例 1：G2.5 代 LCD / 彩色滤光片 CF 产线

客户痛点：730×920mm 大尺寸玻璃彩膜基板，制作 RGB 彩色滤光层、BM 黑矩阵；基板面积大，薄玻璃容易变形，多层套刻，需要整片一次性曝光，不能有拼接缝；连续量产，对曝光均匀性、良率稳定性要求高。解决方案：MA-5111ML，标配 18kW 光源，选配掩膜冷却 + 基板载台温控。项目收益

1. 整板一次性曝光，消除步进机的拼接接缝不良；

2. 非接触近接曝光，掩膜寿命大幅提升，减少掩膜更换成本；

3. 载台温控抑制玻璃热伸缩，多层 BM/RGB/PS 套刻稳定，整面均匀性 ±5%，良率稳定。

案例 2：大面积柔性 FPC / 超薄封装载板厂商

客户痛点：超大幅面柔性 PI 基板，基板容易形变，干膜线路 + 防焊双层曝光，产品型号多，频繁更换掩膜。方案：MA-5111ML + 掩膜库选配收益

1. 大幅面全域曝光，柔性基板轻微形变下图形转移一致性好；

2. 掩膜库自动切换掩膜，多型号产品快速换型，减少停机时间；

3. 兼容线路干膜、阻焊干膜，一机兼顾两道核心光刻工序。

案例 3：光学薄膜 / 大面积微结构光学元件

客户痛点：大尺寸光学玻璃基板，微透镜阵列、光学衍射薄膜试制 + 小批量量产；感光膜层厚，需要高能量紫外曝光，大面积图形一致性要求高。方案：MA-5111ML 基础量产机型收益：大功率光源可以穿透厚感光材料；间隙可控，保护光学抛光面不被掩膜擦伤，适合光学元件批量生产。

案例 4：研究院 / 平台型研发中心（大面积微纳工艺平台）

客户痛点：新工艺开发，基板材质多样（玻璃、陶瓷、柔性薄膜），最大需要 G2.5 尺寸基板，兼顾工艺打样和中试小批量。方案：基础版 MA-5111ML收益：支持多种基材，间隙、曝光能量参数可调；相比投影式步进光刻机采购成本更低，适合大面积新工艺验证。