进口大日本科研 DNK近接式掩膜曝光装置MA-1400

进口大日本科研 DNK近接式掩膜曝光装置MA-1400

主要特长

对应玻璃、Wafer、胶片等基材的实验研究用手动整面单次曝光机。也适合小批量生产。

可选择接触曝光(软接触、硬接触)和近接曝光。

对应最大尺寸为500mm×500mm的基板。根据用途和基板尺寸,配置有最佳组合的光学系统。其中包括:超高压水银灯(500W､1kW､2kW､3.5kW)、各种光学镜、特殊镜头、聚光镜等。

一、核心参数

二、产品详细介绍

MA-1400 是 DNK科研 / 小批量中试级掩膜对准曝光机，属于 MA 系列实验室机型，最大基板 400×400mm，定位介于小型 8 寸晶圆机 MA1200 与大型 FPD 卧式 MA5xxx 之间，主打研发、新工艺开发、中小试样小批量生产，支持硅片、玻璃、陶瓷、PI 薄膜多种基板。

核心技术亮点

1. 近接式非接触曝光，光学间隙传感搭载 DNK 自研光学间隙传感器，精准设定掩膜与基板之间的间隙，避免掩膜直接接触基板，防止薄基板划伤、掩膜污染磨损；间隙闭环控制，400×400mm 幅面曝光能量均匀稳定。可按需切换接触式曝光工艺。

2. 自动对位系统图像式自动预对位 + 同轴视觉对位，支持 IR 红外背面对位；透明玻璃、不透明硅基板都可以实现多层套刻，对位精度 ±1μm，满足 MEMS、微流控、厚膜电路多层光刻工艺。

3. 可选 2kW/3.5kW i-line 汞灯光源365nm 紫外 i-line 光源，可适配薄光刻胶、厚光刻胶、干膜等各类感光材料；可选配掩膜冷却模块，抑制长时间曝光带来掩膜热变形，保障图形尺寸稳定。

4. 通用性强，适配多材质基板兼容硅晶圆、玻璃基板、陶瓷基板、PI 柔性薄膜，一台设备可承接多种工艺试样，非常适合高校实验室、研究院、企业研发中心。

工艺定位：近接式掩膜曝光，整面一次性全域曝光，无拼接； 局限：近接曝光原理，分辨率上限 5μm，不适合亚微米超精细线路；新产品打样需要制作光掩膜。

三、行业案例分析

案例 1：MEMS 器件研发实验室

客户痛点：需要最大 400mm×400mm 基板试制 MEMS 传感器，多种基材（硅、玻璃），多层套刻；研发试样数量不多，频繁更换版图。方案：MA-1400，3.5kW 光源收益

1. 400×400mm 大曝光幅面，整片一次性曝光；

2. ±1μm 对位精度，满足多层 MEMS 结构套刻；

3. 非接触近接曝光，保护薄玻璃基板，掩膜使用寿命更长。

案例 2：厚膜陶瓷电子元件研发企业

客户痛点：大面积陶瓷基板厚感光浆料光刻，多层线路，需要均匀高能量紫外曝光，做产品中试验证。方案：MA-1400 + 基板载台温控选配收益载台温控消除陶瓷基板热胀冷缩，多层套刻稳定；大功率光源充分穿透厚感光浆料，图形形貌可控。

案例 3：高校微纳加工公共平台

客户痛点：课题种类多，基板尺寸多变，玻璃、硅、薄膜多种样品，兼顾学生实验与企业外协打样。方案：MA-1400 基础版收益工艺参数可调，间隙、曝光剂量灵活设置；相比 FPD 大型量产设备采购成本低，400mm 幅面可以兼顾中小尺寸试样。

案例 4：光学薄膜、微结构光学元件试制

客户痛点：大面积光学玻璃基板，微透镜阵列、衍射光学薄膜研发，需要保护抛光光学表面，不能接触划伤。方案：MA-1400 近接非接触模式收益非接触曝光，保护光学抛光面；整面曝光无拼接缺陷，适合光学微结构试样开发。