大日本科研DNK卧式近接掩膜曝光装置MA-5701ML

大日本科研DNK卧式近接掩膜曝光装置MA-5701ML

主要特长

能够进行节拍时间约20秒(标准规格机，对位容许值设定为0.5μm时。不含曝光时间。)的高速曝光处理。

利用直读式间隙传感器与独自的控制系统,能够高速度和高精度地设定掩膜与基板间的近接间隙 。

可配置严格控制处理部位温度环境的温控机房。为了防止因热而引起的基板伸缩,还可选用基板台温度调控系统。

可选择配置基板台温度控制系统及掩膜冷却系统，以防止掩膜及玻璃基板因温度差而引起的伸缩。(选购项)

能够装载存放5张掩膜的掩膜存放库

一、基础规格参数

二、产品详细介绍

MA-5701ML 属于 DNK G1~G2 系列卧式近接曝光设备，核心用于 550×650mm 大尺寸基板的光刻图形转印，广泛用于触控屏、OLED 彩色滤光片 CF、柔性 FPC、光学薄膜的曝光制程。

核心技术亮点

1. 自研光学间隙传感系统搭载 DNK 直读式光学间隙传感器，可以高速、高精度设定掩膜与基板之间的微米级间隙，以非接触近接曝光为主，避免掩膜直接接触基板，大幅减少薄玻璃划伤、掩膜磨损污染；系统全程闭环控制，整片 550×650mm 幅面曝光能量均匀稳定，也可按需切换硬接触 / 软接触曝光模式。

2. 高速高精度自动对位非接触边缘预对位 + 高速图像处理同轴对位，支持 IR 红外背面对位。透明玻璃基板可识别背面标记，不透明基板识别正面标记，多层套刻稳定性强，满足 CF 黑矩阵 BM、RGB 彩色层、ITO 导电线路的多层叠加工艺。标配对位精度可达 0.5μm 级别，满足显示器件严苛套刻要求。

3. 10kW 大功率 i-line 汞灯光源高辐射照度输出，适配厚彩胶、液态厚光刻胶、干膜等各类感光材料。选配掩膜冷却系统，抑制长时间连续曝光过程中掩膜受热膨胀变形，保障量产状态下图形尺寸长期稳定。搭配基板载台温控模块，消除玻璃基板热胀冷缩带来的套刻偏移。

4. 模块化选配，适配产线自动化可搭载 5 张掩膜的掩膜库，多产品快速切换掩膜，缩短换型停机时间；可外接自动上下料 Load port，接入无尘自动化产线；配套 D-Net 生产管理系统，记录曝光参数、生产数量，实现制程追溯，适合中试线、中小批量量产车间。

工艺特点：整片基板一次性全域曝光，不存在步进式曝光的拼接缝不良。 局限：近接曝光原理，分辨率上限 12μm，不适合亚微米超精细半导体线路；产品改版需要重新制作光掩膜；卧式结构，超大基板存在自重挠度弯曲风险（该场景优先选用 MA6xxx 直立系列）。

三、行业案例分析

案例 1：G2 触控面板厂商｜ITO 导电图形量产

客户痛点：550×650mm 薄玻璃触控基板，多品种中小批量生产；频繁切换产品型号，需要降低掩膜损耗，保证整面 ITO 电极线宽一致性，减少断线、线宽偏差不良。选用配置：MA-5701ML，10kW 光源 + 5 工位掩膜库项目收益

1. 整片一次性曝光，消除步进机拼接造成的图形缺陷；

2. 非接触近接曝光，掩膜磨损显著降低，掩膜使用寿命提升，耗材成本下降；

3. 掩膜库自动切换掩膜，多型号产品快速换产，设备稼动率提升；

4. 365nm i-line 光源均匀照射，大面积 ITO 导电线路线宽一致性满足触控产品规格。

案例 2：OLED 彩色滤光片 CF 中试产线｜BM 黑矩阵、RGB 彩色层曝光

客户痛点：G2 玻璃彩膜基板，多层套刻工艺；厚感光彩胶需要高能量紫外曝光；连续生产时温度波动造成基板伸缩，容易产生套刻偏移。选用配置：MA-5701ML + 基板载台温控 + 掩膜冷却单元项目收益

1. 载台温控 + 掩膜冷却双温控方案，抑制基板与掩膜的热形变，多层 BM/RGB 叠层套刻稳定；

2. 10kW 大功率光源充分激发厚彩胶，色彩均匀，减少色彩不均、针孔缺陷；

3. 近接曝光保护薄彩膜，降低颗粒污染风险，满足 CF 洁净制程要求。

案例 3：大面积柔性 FPC、光学微结构薄膜生产

客户痛点：PI 柔性基板，基板容易翘曲变形；产品需要线路干膜 + 阻焊双层曝光，大面积图形一致性要求高。选用配置：MA-5701ML 基础量产机型项目收益间隙参数可动态调节，适配翘曲柔性 PI 薄膜；一套设备完成线路、阻焊两道光刻工序；整面曝光，薄膜边缘图形无畸变，适合光学微结构、柔性线路中试生产。

案例 4：显示工艺研究院 G2 工艺验证平台

客户痛点：新工艺研发，基板材质多样（玻璃、陶瓷、柔性 PI 薄膜），兼顾外协试样、新工艺验证，控制设备投入成本。选用配置：MA-5701ML 基础版项目收益曝光剂量、掩膜基板间隙等工艺参数可灵活调整；采购成本低于 G2.5 代 MA-5111ML；支持多种基材打样，用于触控、光学薄膜、新型显示前期工艺开发验证。