大日本科研 DNK直立式近接掩膜曝光装置MA-6131ML

大日本科研 DNK直立式近接掩膜曝光装置MA-6131ML

主要特长

直立配置掩膜台/基板台。不需补正由掩膜/掩膜台/基板台的自身重量而造成的弯曲变形,构造简单，安定性高。

采用新型光学系统,使影响图形转印精度的倾斜角降低至过去的一半以下(与本公司装置相比),可实现更高精度的图形转印。

完全分离本体与光源部。光源的热量传递不到本体,改善了本体部的热量分布水准。

为了防止因掩膜及玻璃基板的温度差造成的伸缩变形,可选择基板台温度控制系统及掩膜冷却系统。(选购项)

最大基板尺寸为1,200mm×1,400mm。通过独自的光学系统实现了均匀的一次性曝光。

能够装载存放5张掩膜的掩膜存放库

产品详细介绍

MA-6131ML 是 DNK 直立式近接曝光设备的旗舰款，专为G5 超大尺寸基板光刻制程开发。传统卧式设备在 1 米以上大薄玻璃基板会发生明显自重弯曲，造成图形畸变、套刻偏差；MA-6131ML 采用垂直直立结构，掩膜、基板竖向安装，从根源消除基板自重挠度，是大尺寸显示面板 CF、触控、光学薄膜量产的主力设备。

核心技术亮点

1. 直立垂直构造，解决超大基板自重弯曲难题基板和掩膜垂直竖立，无需复杂挠度补偿算法，大面积超薄玻璃基板不会因为自重下垂变形；整片 1100×1300mm 一次性全域曝光，不存在步进式曝光的拼接缝、图形错位缺陷，保证整版图形一致性。

2. DNK 自研光学闭环间隙传感系统搭载直读式光学间隙传感器，高速、高精度设定掩膜与基板微米级间隙，默认非接触近接曝光，避免掩膜直接触碰基板；大幅降低基板划伤、掩膜磨损、颗粒污染风险，间隙全程闭环稳定，整板曝光能量均匀，也可切换硬 / 软接触曝光工艺。

3. 18kW 大功率 i-line 汞灯光源，分离式光学设计18kW 超高功率 i-line 365nm 紫外光源，照度充足，适配厚 BM 黑矩阵、RGB 厚彩胶、厚干膜等高感光能量需求制程；光源与主机本体完全分离，隔绝光源热量传导至曝光腔体，降低热形变。选配掩膜冷却 + 基板载台温控，抑制长时间量产下掩膜、玻璃基板热胀冷缩，保障多层套刻长期稳定。

4. 高速高精度对位，可接入全自动无尘产线非接触边缘预对位 + 高速图像处理同轴对位，支持 IR 红外背面对位；透明玻璃、不透明基板均可实现多层套刻，满足 CF 黑矩阵、RGB 彩层、保护层多层叠加工艺。可选 5 工位掩膜库，多产品快速切换掩膜；支持 Load port 全自动上下料，配套 D-Net 生产管理系统，完整记录曝光参数、生产批次，满足面板厂量产追溯需求。

工艺特点：整板一次性全域曝光，无拼接不良； 局限：近接曝光原理，分辨率上限 12μm，不适合亚微米超精细半导体线路；改版需要制作新光掩膜；整机尺寸巨大、重量很重，对无尘车间层高、地面承重、洁净空间要求极高，配套冷水机组占地也较大。

行业案例分析

案例 1：G5 OLED 彩色滤光片 CF 量产线｜BM 黑矩阵、RGB 彩色层曝光

客户痛点：1100×1300mm 超大超薄玻璃基板，平放会严重下垂，造成多层 BM/RGB 套刻偏移；厚彩胶需要极高紫外曝光能量，连续量产温度波动会带来图形尺寸漂移、色差不均。选用配置：MA-6131ML，18kW 光源 + 掩膜冷却 + 基板载台温控项目收益

1. 直立结构消除基板自重弯曲，整张 G5 基板图形无畸变，多层 BM、RGB、OC 保护层套刻精度稳定，大面积色彩均匀；

2. 双温控方案抑制掩膜与基板热变形，大批量生产针孔、色斑不良率显著下降；

3. 一次性整面曝光，无步进拼接缺陷，满足高端 CF 洁净制程颗粒管控标准。

案例 2：大尺寸车载触控面板厂商｜ITO 导电图形量产

客户痛点：G5 大尺寸车载触控玻璃基板，多品种中小批量生产；频繁切换产品，需要保护掩膜，保证整面 ITO 电极线宽一致性，减少断线不良。选用配置：MA-6131ML + 5 工位掩膜库项目收益

1. 垂直直立结构，超大薄基板无下垂，ITO 线路边缘轮廓一致性好，断线、线宽波动不良降低；

2. 非接触近接曝光，掩膜磨损大幅减少，掩膜使用寿命提升，长期耗材成本下降；

3. 掩膜库自动切换掩膜，多型号车载触控产品快速换产，设备稼动率提升。

案例 3：超大尺寸光学薄膜、柔性 PI 薄膜微结构量产

客户痛点：米级大尺寸光学膜、柔性 PI 基板，薄膜自重容易拉伸翘曲，需要一次性大面积曝光制作微光栅、光学微结构。选用配置：MA-6131ML 基础量产机型项目收益间隙参数动态可调，适配翘曲柔性基板；直立结构避免薄膜自重拉伸形变；整板一次性曝光，薄膜边缘图形无畸变，适合大面积光学微结构量产。

案例 4：新型显示研发中心 G5 工艺验证平台

客户痛点：G5 代 LCD、OLED、电子纸等新工艺验证，基板种类多（玻璃、陶瓷、PI 薄膜），需要验证大面积光刻工艺，兼顾试样与小批量试产。选用配置：MA-6131ML 基础版项目收益曝光剂量、掩膜基板间隙等工艺参数可灵活调节；直立架构解决超大基板挠度问题，用于大尺寸新型显示前期工艺开发验证。