大日本科研 DNK近接式掩膜曝光装置MA-1300

大日本科研 DNK近接式掩膜曝光装置MA-1300

主要特长

对应玻璃、Wafer、胶片等基材的实验研究用手动整面单次曝光机。也适合小批量生产。

可选择接触曝光(软接触、硬接触)和近接曝光。

对应最大尺寸为500mm×500mm的基板。根据用途和基板尺寸,配置有最佳组合的光学系统。其中包括:超高压水银灯(500W､1kW､2kW､3.5kW)、各种光学镜、特殊镜头、聚光镜等。

主要规格

产品详细介绍

MA-1300 是 DNK MA 实验室系列，专门针对Φ300mm（12 寸）硅晶圆开发的掩膜曝光设备，介于 MA-1200（最大 200×200mm/6 寸晶圆）和 MA-1400（400×400mm 方形基板）中间机型，可加工圆形晶圆、方形玻璃、陶瓷、PI 薄膜基板，广泛用于 MEMS、微流控、化合物半导体、厚膜电路的研发与小批量试制。

核心技术亮点

1. 可切换近接 / 接触式曝光，光学闭环间隙控制搭载 DNK 自研光学间隙传感器，微米级精准设定掩膜与基板间隙，默认非接触近接曝光，避免掩膜直接触碰晶圆，减少晶圆划伤、掩膜污染磨损；间隙全程闭环稳定，整片 Φ300mm 曝光能量均匀；可按需切换软接触 / 硬接触工艺，满足不同光刻胶工艺需求。

2. 1kW i-line 汞灯光学系统，全域均匀照射1kW 超高压水银灯，搭配 DNK 自研镜面聚光光学系统，整圆曝光面光强均匀度 ±5%；适配薄光刻胶、厚光刻胶、干膜；选配掩膜冷却、基板载台温控，抑制长时间曝光热形变，保障多层套刻稳定性。

3. 高精度视觉对位，支持正反面标记识别非接触预对位 + 同轴显微视觉对位，支持 IR 红外背面对位，硅晶圆、透明玻璃基板均可实现多层套刻，对位精度 ±1μm，满足 MEMS 传感器、微流控芯片多层结构光刻工艺。

4. 紧凑型整机，适配实验室无尘台相比量产型 FPD 设备体积小很多，700kg 整机，配套简易无尘护罩，高校微纳平台、企业研发实验室均可安装；兼容硅晶圆、玻璃、陶瓷、PI 柔性薄膜多种基材。

工艺特点：整片基板一次性全域曝光，无拼接； 局限：近接曝光原理，分辨率上限 5μm，不适合亚微米超精细半导体线路；改版需要制作光掩膜；标准配置为实验室机型，大批量连续生产效率低于量产设备。

行业案例分析

案例 1：MEMS 传感器研发企业｜12 寸硅晶圆试样开发

客户痛点：Φ300mm 硅晶圆试制 MEMS 压力 / 加速度传感器，需要多层光刻套刻；厚胶工艺，频繁改版试样，保护晶圆表面不被划伤。选用配置：MA-1300，1kW 光源 + 基板载台温控项目收益

1. 支持整片 12 寸晶圆一次性曝光，无拼接缺陷；

2. 近接非接触模式，避免晶圆表面损伤，良率提升；

3. ±1μm 套刻精度，满足 MEMS 多层结构叠加工艺；

4. 间隙、曝光剂量参数可调，适配厚胶三维微结构制备。

案例 2：化合物半导体研发实验室

客户痛点：GaN、SiC 等化合物半导体基板，小批量工艺验证，基板多为圆形，需要稳定 i-line 紫外曝光。选用配置：MA-1300 基础版项目收益光学系统照度稳定，适配半导体光刻胶；支持圆形异形基板，适合功率器件前期工艺开发验证。

案例 3：高校微纳公共实验平台

客户痛点：课题多，样品包含 6 寸 / 12 寸硅片、玻璃基板、微流控芯片，兼顾学生实验、外协试样，预算有限。选用配置：MA-1300 基础版项目收益一台设备兼容多种圆形 / 方形基板；可切换近接 / 接触曝光，支撑 MEMS、微流控、微光学多个课题。

案例 4：厚膜陶瓷电子元件研发

客户痛点：圆形陶瓷基板厚感光浆料光刻，多层线路，要求大面积曝光均匀。选用配置：MA-1300 + 掩膜冷却选配项目收益1kW 光源能量充足，整圆曝光均匀；间隙可控，降低陶瓷基板颗粒污染，用于厚膜电路工艺验证。